Características
•identificación automática de componentes
•identificación automática de la configuración de los pines
•Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
•transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
•medición de umbrales de puerta en 'Enhancement Mode MOSFETs'
•medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
•desactivación automática y manual

Especificaciones
•corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): -5.5mA ~ 5.5mA
•tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): -5.1V ~ 5.1V
•transistor: ◦rango de ganancia (Hfe): 4 ~ 65000
◦precisión de ganancia: ±3% ±5 Hfe
◦tensión de prueba Vceo: 2.0V ~ 3.0V
◦precisión Vbe: -2%-20mV ~ +2%+20mV
◦VBE para Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V)
◦umbral shunt base-emitter : 50kOhm ~ 70kOhm
◦corriente de prueba colector BJT: 2.45mA ~ 2.55mA
◦corriente de fuga BJT aceptable: 0.7mA
◦MOSFET: ■rango 'gate threshold': 0.1V ~ 5.0V
■presisión de umbral: -2%-20mV ~ +2%+20mV
■corriente de prueba 'drain': 2.45mA ~ 255mA
■resistencia 'gate': 8kOhm

◦corriente de prueba 'depletion drain': 4.5mA
◦corriente de prueba drain-source JFET: 0.5mA ~ 5.5mA

•Tiristor/Triac: ◦corriente de prueba 'gate': 4.5mA
◦corriente de prueba 'load': 5.0mA

•diodo: ◦corriente de prueba: 5.0mA
◦presición de tensión: -2%-20mV ~ +2%+20mV
◦Vf para la identificación de LEDs: 1.50V ~ 4.00V
◦short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10Ohm

•batería: ◦tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12V
◦rango de tensión: 7.50V ~ 12V
◦indicación de batería baja: < 8.5V

•dimensiones: 103x70x20mm